威澳门尼斯人36366com:届时三星红利结束或走下坡

来源:http://www.bddnv.com 作者:财经资讯 人气:51 发布时间:2020-02-03
摘要:12月27日讯在更深层次的全球信息化浪潮背景下,全球范围出现半导体存储器短缺。而在供应短缺及价格高增长的背后,垄断之势也越发明显。价格狂涨的利益驱动下,全球存储器已掀起

12月27日讯 在更深层次的全球信息化浪潮背景下,全球范围出现半导体存储器短缺。而在供应短缺及价格高增长的背后,垄断之势也越发明显。价格狂涨的利益驱动下,全球存储器已掀起新一轮竞争潮。

据了解,2016年中国存储市场172亿人民币,预计到2017年达到203亿,2016~2020年年复合增长率将为20.1%。当前半导体产业国内厂商享有国产替代的巨大增长空间,存储器需求强劲,国内存储器产业陆续启动重大项目,如长江存储投资240亿美元、紫光集团投资300亿美元建存储器基地,项目建设将推动国内半导体存储设备及材料产业发展。

3月11日消息,据IC Insights的预测,由于存储芯片(包括DRAM内存和NAND闪存)行情转冷,三星的半导体产品年收入将下跌20%,近日,集邦咨询TrendForce存储器储存研究院再次指出,跌幅将扩大至30%,看来三星跌下半导体龙头宝座只是时间问题。

在持续收到手机厂商投诉之后,监管机构开始关注已经持续涨价6个季度、并且明年一季度仍会继续涨价的存储芯片。12月21日,多位知情人士告诉21世纪经济报道记者,“发改委已经就此问题约谈三星。”不过,目前并不确定是否会发起反垄断审查。三星是全球最大的存储芯片厂商,其DRAM产品市场占比约48%,NAND Flash产品市场占比约35.4%。DRAM、NAND Flash是存储芯片两大主力产品,前者主要用于内存,后者用于存储数据的闪存。两类产品在手机、电脑、服务器市场广泛应用。根据分析机构中国闪存市场(CFM)提供数据,2017年,全球存储芯片市场规模950亿美元,其中DRAM约503.5亿美元,NAND约400亿美元。2016年Q3,存储芯片因市场供不应求开始进入涨价通道,并引起手机、固态硬盘、内存条等产品陆续涨价至今。其中,正在热销的手机普遍提价100-200元,新发售旗舰机价格比此前同档位产品约高出300元以上,而疯狂的内存条则是一年内涨幅300%。2017年初,大部分行业分析师根据厂商产能周期预测,存储芯片的涨价会在今年下半年结束,但目前基本均把降价的时间点延后至2018年下半年。利润飙升“存储,超过屏幕、CPU,成为手机最大的成本”,一手机厂商人士告诉记者,“存储在手机中的成本已经达到25%-35%,而且出货量不是非常大的手机厂商根本没有话语权,价格谈不下来,今年以来不同容量的闪存价格涨幅超过30%-40%。”该人士举例,“32G、64G闪存的价格每次都是按照5美元、10美元上调,128G的调价都是20美元,对手机厂商来说,这种调价很吓人。”全球存储芯片供应商只有三星、美光、东芝、海力士、西部数据等企业,其中,三星、美光、海力士在DRAM市场占据90%以上的市场份额。巨额涨幅给这些芯片巨头带来丰厚利润。三星最新财报显示,2017年Q3,三星收入545亿美元,同比增长29.7%,净利润127.6亿美元,同比增长179.47%。2017年前三季度,三星总收入1524.56亿美元,同比2016年前三季度的1304.46亿美元增长16.8%,但是,2017年前三季度利润为338.1亿美元,同比增长92.3%。在终端业务因“电池爆炸”失利之后,半导体成为三星的主要利润源。值得一提的是,2017年Q2,得益于存储芯片价格持续上涨,三星半导体部门收入157.3亿美元,超过Intel的147.63亿美元,首次成为全球最大芯片企业。2016年6月1日至今,三星股价从133万韩元涨至255.4万韩元,涨幅90%。2017年11月,三星创造近十多年来的最高股价,达到286万韩元。据台湾相关产业链消息,三星、海力士陆续通知明年首季调涨DRAM售价3%-5%,存储产品价格上涨仍将持续。作为全球最大的电子产品的生产地、消费市场,中国成为这一波涨价最大的承压市场。但PC、手机厂商在几家寡头面前几乎没有价格话语权。即便是最擅长供应链管理的富士康对价格也无能为力,一位富士康人士告诉记者:“已经明显感觉到市场饱和了,年初是拿着钱买不到产品,现在是给钱就能买到,但价格就是居高不下。”

这张照片展示了一堆古董内存。从上到下是:采用三星颗粒的两根32M 72针DRAM内存,韩国生产。中间是新加坡NCP的256M PC133 SDRAM内存。最下面是采用英飞凌颗粒的64M PC133 SDRAM内存,葡萄牙生产。其中NCP是新加坡赫克松(Hexon)集团的内存品牌。赫克松成立于1989年,是德国英飞凌和日本尔必达的亚太区总代理,因此采购两家的DRAM颗粒,到新加坡组装成内存条,然后销售到中国大陆,靠价格低廉取胜。不过时至今日,德国英飞凌(奇梦达)和日本尔必达,都已经破产倒闭。只剩下了韩国三星独霸江湖。

近期,诸多手机厂商纷纷向监管者投诉已经持续涨价6个季度,并且明年一季度仍会继续涨价的存储芯片情况。相关部门已经就此问题约谈三星,目前,还未确定是否会对后者发起反垄断调查。

三星靠存储或将超越半导体龙头英特尔

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据数据调查显示,仅三星电子、SK海力士、英特尔、美光科技及东芝半导体等五家美日韩半导体企业,几乎垄断了全球95%左右的存储器市场。而作为全球最大的电子产品的生产地、消费市场,中国成为这一波涨价最大的承压市场。

Intel凭借在PC和服务器芯片市场所拥有的优势市场地位一直都是全球最大的半导体企业,不过这几年开始受到三星的挑战,后者主要是依靠在存储芯片市场所占有的优势市场地位不断提高它的半导体业务收入。

自2016年以来,受PC、手机对存储器的需求逐渐扩大,包括PC从HDD转换为SSD、DRAM的容量不断增大,以及智能手机的NAND Flash和DRAM容量也在不断加大,使得整体存储器市场进入了快速上涨的阶段。

DRAM是动态随机存储器的意思,也就是电脑内存。对于今天的消费者来说,电脑内存只是些绿色的小条条,售价不过几百元。然而这些小玩意,却走过了长达120年的复杂演进历史。从百年前的穿孔纸卡、磁鼓、磁芯到半导体晶体管DRAM内存。人们已经很难想象,一个电冰箱大小的计算机存储器,只能存储几K数据,售价却高达几万美元。在中国市场,1994年的时候,一根4M内存售价1400元,相当于两个月工资。1999年台湾921大地震,在北京中关村,一根64M SDRAM内存条,价格可以在几天内,从500元暴涨到1600元。

三星是全球最大的存储芯片厂商,其DRAM产品市场占比约48%,NAND Flash产品市场占比约35.4%。DRAM、NAND Flash是存储芯片两大主力产品,前者主要用于内存,后者用于存储数据的闪存。近日,三星电子宣布启动新型DRAM的量产。

早在数年前业界就预计三星将超越Intel成为全球最大的半导体企业,而去年至今的存储芯片价格上升加快了这一速度。

三星作为全球最大的NAND Flash和DRAM生产商,终于在2017年一举超过处理器龙头英特尔。但是随着技术的发展,各厂商产能增加,市场趋于饱和,存储器价格下降,2018 年上半年,三星首先在NAND Flash显示出下跌的趋势,2018 年全年,NAND Flash的价格同比下跌幅度接近50%。

自1970年,美国英特尔的半导体晶体管DRAM内存上市以来,已经过去47年。DRAM内存芯片市场,累计创造了超过1万亿美元产值($1000,000,000,000美元)。企业间掺杂着你死我活的生死搏杀。美国、日本、德国、韩国、中国台湾的选手,怀揣巨额筹码,高高兴兴地走进来,却在输光光之后黯然离场。无数名震世界的产业巨头轰然倒地。就连开创DRAM产业的三大元老——英特尔、德州仪器和IBM,也分别在1986年、1998年和1999年,凄惨地退出了DRAM市场。目前,只有韩国三星和海力士,占据绝对垄断地位,在DRAM市场呼风唤雨,赚得盆满钵满。

据业界人士预估,在三星今年260亿美元半导体资金中,3D NAND Flash约为140亿美元,DRAM约为70亿美元。面对如此“诱人”的存储器市场,三星电子完全无法忍住诱惑。

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根据三星官方的Q4季度财报,三星总营收达到了59.27万亿韩元,上季度为65.46万亿韩元,上一年同期则是65.98万亿韩元,同比、环比下滑了10.1%、9.5%,运营利润10.8万亿韩元,同比下滑28.7%,环比下滑38.5%。净利润8.46万亿韩元,约合76亿美元,环比下滑31%,同比下滑36%。

从美国到韩国,这个巨大的转变,背后隐藏着半个世纪以来,那些不为人知的经济战争,足以载入经济学教科书。把欧美和中国,那些冒牌经济学家,极力鼓吹的“自由市场经济”论调,彻底扫进垃圾堆。

据分析机构中国闪存市场提供数据,2017年全球存储芯片市场规模为950亿美元,其中DRAM约503.5亿美元。值得一提的是,2017年第二季度,得益于存储芯片价格持续上涨,三星半导体部门收入157.3亿美元,超过英特尔的147.63亿美元,首次成为全球最大芯片企业。

据IC Insights在去年11月发布的数据,其估计2016年Intel的营收为563.13亿美元,三星的半导体业务营收为435.35亿美元,双方的营收差距只有29.4%。

反观英特尔,主要依靠服务器处理器等业务获得营收的稳步增长,预估英特尔在2019年将继续保持增长的趋势,反超三星,重新夺回全球半导体龙头的位置。

——这是一场真正的经济战争,国与国之间的生死较量,惨烈程度远超液晶战争。

存储器高利润及对未来信息安全的诉求,包括中国在内的多个国家针对存储器加大投入。目前国内已经形成了福建晋华、合肥长鑫与紫光集团三大阵营。

去年以来存储芯片价格持续上涨,主要是因为手机和电脑等产品纷纷加大存储容量导致市场出现严重的缺货现象,据市场数据显示,仅仅是2016年四季度DDRAM涨幅达18%,创18个月来新高;NAND Flash涨幅超过四分之一,这种缺货现象预计将延续到今年底,因为当前Android手机将继续加大内存和存储容量,而全球第二大手机企业苹果今年也将进一步提升其iPhone8的内存和存储容量。

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三星是全球最大的存储芯片企业,其占有NAND Flash市场近四成的市场份额,而DRAM市场更占有高达47.5%的市场份额,因此其称为2016年至今的存储芯片价格上涨的最大受益者,并推动其去年四季度在召回galaxy note7造成高达50亿美元的损失情况下,净利润反而暴涨五成!

1949年,美国哈佛大学实验室的王安博士,发明磁芯存储器。这种古老的存储器一直使用到1970年代。直至被英特尔批量生产的DRAM内存淘汰。

相比之下,Intel所在的PC芯片市场,则由于AMD和ARM架构处理器的竞争,价格逐渐下滑,预计今年下半年其PC芯片价格会进一步下降,近期其主要的盟友微软也将发布采用ARM架构处理器的Surface CloudBook,将支持完整版的Windows,这对于Intel更是一个重大的打击。

在叙述这场经济战争前,我们先从总体上,了解一下DRAM内存产业的脉络和现状。

内存涨价几时休?

电脑存储器的发明者,几乎都来自计算机巨头——美国IBM公司。IBM的历史最早可追溯到1890年代。美国统计学家霍列瑞斯(Hollerith Machin)研制了穿孔制表机,采用在卡纸上打孔的方式,记录统计数据。1890年,美国进行第12次人口普查时,便大量采用这种机器。直到1930年代,IBM每年仍要销售上千万张穿孔纸卡。

近日,小米、魅族、乐视等多家手机厂商相继宣布为其手机产品调价,涨幅从几十元到近千元不等。其中,华为最近推出的P10手机与前代机型P9相比涨了近千元。

1932年,IBM公司的奥地利裔工程师古斯塔夫·陶斯切克(Gustav Tauschek),发明了第一种被广泛使用的计算机存储器,称为“磁鼓存储器”。直到1950年代,磁鼓依然是大型计算机的主要存储方式。1956年,IBM公司购买了中国人王安博士(上海人),拥有的“磁芯存储器”专利。磁芯存储一直使用至1970年代。1966年,IBM公司的研究人员,罗伯特·登纳德博士,发明了半导体晶体管DRAM内存,并在1968年获得专利。

而在此期间,存储芯片也迎来了一波“涨价潮”。根据研调机构WSTS及IC Insight统计,今年第1季DRAM(动态随机存储器)报价较去年第4季上涨26%,更较去年同期成长45%,至于NAND Flash(资料储存型闪存)报价首季报价季增8%,年增率也高达4成之多。而手机内存中,普通的8G DDR4内存从200元直接翻了一倍到目前的400元以上,DDR3内存的价格也跟着水涨船高,将近翻了一番。

然后,1970年美国英特尔,依靠批量生产DRAM大获成功,逼死了磁芯存储器。1976年日本厂商进攻DRAM市场后,差点将英特尔逼死。1985年美国发动经济战争,扶植韩国厂商进攻DRAM产业,又将日本厂商逼死。1997年美国发动亚洲金融风暴,差点将韩国厂商逼死。美国控制韩国经济后,韩国厂商又借着DRAM市场的暴利翻身崛起。此时不怕死的台湾人冲进DRAM市场,投入500亿美元却亏得血本无归。2007年全球经济危机,逼死了德国厂商,并将台湾DRAM厂商打翻在地,狠踩两脚。2017年,不怕死的中国大陆厂商冲了进来,准备投资660亿美元,进攻DRAM市场。

对于不断上涨的内存价格,易观媒介入口分析师赵子明对《中国经营报》记者称:“主要还是产能不足,出货量跟不上需求导致存储芯片价格上涨。”市场研究公司IHS预计,明年NAND闪存芯片行业收入将同比增长5.9%至357亿美元,高于今年的5.7%增速。

有人说,中国人疯了。

近期的华为“P10闪存门”更是凸显了存储芯片产能紧张的问题。在华为公布的信息中,P10款手机将使用UFS2.1闪存,能达到800MB/s的读写速度。但随着2017年上半年新手机的不断发布,华为从供应商拿到的UFS2.1规格闪存开始减少。为了保证供应,华为不得不采用了多种规格闪存共用,而这也成为“闪存门”爆发的根本原因。

威澳门尼斯人36366com:届时三星红利结束或走下坡路,三星存储芯片收入预计暴跌30。我说没疯,因为中国——做为世界第一大电子产品制造国,居然90%以上的内存靠进口,剩下那部分,居然连国产的产量,都控制在韩国企业手里。

“目前国内手机几乎都在上DDR4,需求量大,但受限于供应链产能,内存价格一涨再涨。”赵子明进一步推测道,“涨势可能不会持续太久,但价格应该会保持高位。上涨态势可能会保持到2018年乃至2019年。”

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而市场调研机构TrendForce旗下部门集邦科技的报告也显示,存储芯片供不应求的状况越来越严重。2017年第一季度全球PC内存的合约价可能会环比暴涨接近40%,而且第二季度仍将继续上涨。

2015年,韩国三星电子投资136亿美元(15.6万亿韩元),在韩国京畿道平泽市,建设12寸晶圆DRAM厂(Fab18)。该项目占地2.89平方公里,总产能预计将达到每月45万片晶圆,其中3D NAND闪存芯片将占据一半以上。主要生产第四代64层堆叠3D NAND闪存芯片。2017年7月4日三星宣布该厂投产。

在目前的存储芯片市场中,三星、镁光、海力士、东芝和闪迪5家外资企业占据了90%以上的市场份额。集邦科技指出,虽然内存厂商已经开始着手扩充产能,但都非常保守。其中,三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂商皆以提高新制程比例增加产出为主,并未大幅扩张新产能。

行业高度垄断——韩国三星独占鳌头

“至少要到今年下半年才会对市场产生真正影响。”赵子明续称。数据显示,海力士第一季度的内存芯片出货量只增长了5%,而NAND闪存芯片出货量同比下降了15%。

我们来看看市场情况,就知道中国为什么非要进攻DRAM市场了。半导体存储器主要应用于台式电脑、笔记本电脑、手机、平板电脑、固态硬盘、闪存等领域,包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大类。2015年全球半导体存储器销售总额达772亿美元。在全球3352亿美元的集成电路产业中,占据23%的份额,是极为重要的产业核心部件。

对于内存厂商的做法,赵子明并不意外。在他看来,虽然海力士的内存出货量只提升5%,闪存出货量下降,但两者的平均价格分别增长了24%和15%,涨价可以平抑因出货量下降带来的损失。

其中DRAM内存主要用于台式电脑、笔记本电脑,全球市场规模约420亿美元,目前被韩国三星、海力士和美国镁光三家垄断,占据90%以上的份额。从1992年以来,韩国三星在DRAM市场已经连续25年蝉联世界第一,占据绝对垄断地位,市占率超过60%。似乎无人可以撼动它的地位。

“在所有的电子零部件产品中,内存和闪存芯片的价格波动十分剧烈,有上涨的时候,也有狂跌的时候。这已经成为行业惯例。在早年个人电脑时代,内存价格一天一变。”赵子明解释称,“内存厂商不是菜农,看得很清楚。”

NAND Flash闪存主要用于手机存储、平板电脑、SSD固态硬盘、大容量闪存,全球市场规模约300亿美元,垄断形势更加严重。韩国三星、海力士、美国镁光、英特尔、闪迪、日本东芝六家厂商,垄断了全球99%的产量。其中仅三星、海力士、东芝三家,就占了80%以上的份额。NOR Flash闪存属于小众产品,主要用于16M以下的小容量闪存,全球市场规模只有30亿美元,由美国镁光、韩国三星、台湾旺宏、华邦、中国大陆的兆易创新等7家企业瓜分。

即便是占了全球移动DRAM内存市场64.5%份额的三星电子,也对外表态,今年第二季度芯片仍将保持较高售价,紧张的供应也将持续。

行业高度垄断造成的结果,是前三大厂商可以轻易操纵产量和价格,用低价来挤垮竞争对手,或用涨价来谋取暴利。2016年由于全球内存芯片缺货,三星电子营业收入达到809亿美元,利润高达270亿美元。韩国海力士收入142亿美元,美国镁光收入128亿美元。

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而中国厂商深受其害。中国是世界最大的电子产品制造国。2016年,光是中国就是生产了3.314亿台电脑,21亿台手机(其中智能手机占15亿台),1.78亿台平板电脑。与之相对应,2016年,中国进口DRAM产品超过130亿美元。中国需要的存储器芯片9成以上需要进口。国内DRAM产能也掌握在韩国海力士等外资厂商手中。

为什么存储价格疯涨?

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如果要说到涨价的根源,这自然还是因为货源的问题惹的祸了;在整个2016年市场NANDFlash供货紧缺,主要受Flash原厂三星、东芝、美光、SK海力士等2DNAND向3DNAND转移的影响,以目前原厂3D技术投产进程而言,预计3DNAND到2017年Q2产能才能释放,在原厂没有大的变动前提下,供应依然比较紧张。

2015年起,美国镁光(Micron),在新加坡Woodlands投资40亿美元,扩建Fab 10X晶圆厂,主要生产第二代32层堆叠3D NAND闪存。2017年建成后,月产能14万片晶圆,采用16纳米工艺。

除了NAND Flash颗粒的涨价凶猛以外,其实内存颗粒DRAM涨价也不少。相比较于其他的硬件,内存更容易受到上游厂商的影响。内存使用的DRAM主要由几家大公司比如说三星、海力士和镁光所掌控,RAM/NAND的增产和减产对于储存行业来说自然是十分重视的。尤其是目前PC行业不景气,厂商必然会减少DRAM的生产量,而DRAM不单单是给内存用,而U盘、手机ROM也都需要,DRAM的供应就更加紧张。

有钱都买不到——那就自己造吧

这一波儿“凭本事涨价”也让闪存厂商开始扭亏为盈。美光在12月下旬公布了截止到2016年12月1日的2017财年第一季度财报,受益于DRAM和NAND市场需求强劲及价格上涨的因素,季度营收优于预期,取得了不错的成绩,也是2016年首次盈利。

在外资厂商故意操纵下,华为、中兴、小米、联想等中国手机、PC厂商,经常遇到DRAM缺货情况。而在中国国内,仅有中芯国际具备少量DRAM产能,根本无法实现进口替代。更严重的事例还有:2016年3月,美国政府下令制裁中国中兴通讯,禁止美国厂商给中兴提供元器件。这种情况简直让人不寒而栗。2017年4月,华为手机爆出闪存门事件。事情的根源,实际就是华为手机用的NAND Flash内存严重缺货。

另外,2016年NAND Flash市场缺货,2017年上半年市场供应也不会有太多的缓解,而三星是NAND Flash最大的供应商,2017年上半年三星新的Fab17/Fab18工厂都将投入生产,同时Memory和面板价格双双走强,都将给三星营收利润带来成长动力。

怎么办呢?有钱可以买吧?2015年7月,中国紫光集团向全球第三大DRAM厂商,美国镁光科技,提出230亿美元的收购要约。结果被镁光拒绝了,理由是担心美国政府,会以信息安全方面的考虑,阻挠这项交易。

虽然内存涨价让上游厂商赚到了钱,不过他们对未来的估计反而偏向保守,并不会大规模扩产,更注重强调改善营收。DRAMXchange预计2017年DRAM内存供应量只会增长19%,远低于之前20%甚至30%的增幅。一方面是供应增长只有19%,另一方面是市场需求增长超过22%,内存市场供不应求的情况更加严重了,未来涨价趋势恐怕还会持续。

那就自己造吧。于是从2016年起,中国掀起了一场DRAM产业投资风暴。紫光集团宣布投资240亿美元,在武汉建设国家存储器基地(武汉新芯二期12英寸晶圆DRAM厂),占地超过1平方公里,2018年一期建成月产能20万片,预计到2020年建成月产能30万片,年产值超过100亿美元。计划2030年建成月产能100万片。福建晋华集团与联华电子合作,一期投资370亿元,在晋江建设12英寸晶圆DRAM厂,2018年建成月产能6万片,年产值12亿美元。规划到2025年四期建成月产能24万片。合肥长鑫投资494亿(72亿美元),2018年建成月产能12.5万片。

内存红利即将结束

2017年1月,紫光集团宣布投资300亿美元(约2000亿人民币),在江苏南京投资建设半导体存储基地,一期投资100亿美元,建成月产能10万片,主要生产3D NAND FLASH(闪存)、DRAM存储芯片。

虽然近几年来,由于以上原因,内存的价格出现了大幅度的增长,但是一直以来,存储圈内都有这样几种说法:《闪存取代传统机械硬盘将指日可待?》、《SSD走下高端向主流?》、《闪存将成未来存储发展趋势》等等,在众说纷纭中。毫无疑问,大家对闪存都寄予厚望。

上述四个项目总投资超过660亿美元(4450亿元人民币)。确实有点疯狂。

在涨价之前的一段时间,闪存不断降价的现象似乎让这种预言更接近现实。

但是只要认真研究过去半个世纪,世界DRAM产业的发展历史,就会让人看清一件事情。

近日,外媒的一篇报道引起了笔者的注意,文章中对于这种预测进行了证实。

——拿钱砸死对手,少砸一点就会死!不相信的都死了!

根据外媒资料显示,Gartner半导体研究总监on Erensen预测:2018年,SSD内存和NAND闪存的价格将开始逐渐下滑。但是,在2019年,价格将大幅下滑。

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同时,PC和移动设备的价格可能会受到影响。但是,Erensen表示,现在预测NAND和DRAM价格下崩对PC和移动设备的确切影响为时尚早。

2016年6月,美国IBM实验室的研究人员Janusz Nowak,向记者展示新型的磁性储藏器(STT-MRAM)12寸晶圆。磁性内存既有DRAM和SRAM的高性能,又有闪存的低功耗和低成本,被认为具有竞争下一代内存的潜力,但是还存在很多问题。

如果价格下降,互联网用户可以在现成的时间内获取元件并在家中构建个人电脑。但是,预制设备的价格最终取决于PC制造商如何利用更便宜的组件定价节省成本。

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PC和移动设备的价格有可能回落,这已经是十多年来的大趋势。但是一些公司可能选择利润而不是将储蓄转移给买家,就像苹果路数一样。

2017年6月,韩国三星电子宣布,开始在平泽工厂(Fab18),批量生产64层堆叠的256Gb第四代TLC V-NAND内存产品。三星目前V-NAND占整体NAND Flash产能的70%以上,拥有500多项专利。

还有一种可能:移动设备和PC价格也可能保持高位,但是买家应该获得更多的套餐选择。对于相同的价格,服务器本身将会拥有更多的内存,更多的存储和更高分辨率的屏幕。

根据Gartner的说法,自2016年下半年以来,PC 、DRAM价格翻了一番。一个4GB的内存从去年中的12.50美元上涨到25美元。随着NAND闪存价格的上涨,SSD的每千兆字节成本以惊人的速度上涨。 Gartner预测,NAND闪存和DRAM的定价将在本季度达到顶峰。

价格暴跌已成必然?

Gartner的预测与联想公司的规划不谋而合,联想已重新考虑高端个人电脑的定价。 HP已经设法吸收了更高元件的成本,但是该公司正在转向高价位产品,试图选择盈利而不是数量, HP公司个人系统业务总裁Ron Coughlin表示。

据了解,当供应商开始在产品中设置更大的内存和存储时,DRAM和NAND闪存的供应量就会上升。比如苹果公司为Mac,iPhone和iPad增加了更多的内存和存储空间。像三星等其他厂商就是这样,而一个版本的即将推出的Galaxy S8 手机将拥有128GB的存储容量和6GB的内存,这些笔记本电脑与许多薄型笔记本电脑相匹配。

此外,虚拟现实和游戏等应用正在促使厂商向设备添加更多的存储和RAM。一个稳定的PC市场也在推动对DRAM和SSD的需求。

Erensen进一步指出,手机,个人电脑和IoT物联网设备也在生成更多的数据,从而在存储云数据的服务器中对闪存的需求增加。数据分析和机器学习也引发了对数据中心更多内存和存储的需求。

因此,需求的增长导致RAM和存储的最终短缺,从而使得制造商和供应商有较高利益所得。但是,高需求将最终促使制造商提高工厂的产能以产生更多的内存和存储空间。 Gartner预测,到2019年,市场将充斥着DRAM和NAND闪存,价格将会下降。

根据以往的经验而言,DRAM和NAND闪存供应商每隔几年的一个周期,这使得市场极度波动。 2011年DRAM价格暴跌,电力供需过剩,PC需求放缓以及全球经济下滑的影响。

扩充产能已经来临

从今年来各大厂商的种种措施我们不难看出,内存正在随着以上所述的价格和市场变动发生变化。

首先是随着供需不平衡带来的各大厂商纷纷扩充产能的措施。

早在今年年初,在三星还深陷NOTE 7爆炸丑闻的时候,美光位于台中市的晶圆厂计划扩大1Xnm DRAM芯片的产能,并在今年Q2前提高到50%以上比例。

放眼其他厂商,三星背负着Note 7召回的损失需要止血、SK海力士跟着同胞带节奏、西数闪迪刚刚尝到SSD的甜头、东芝更是因为核电几十亿美元的亏损要卖身……

此外,随着三星逐渐走出炸机丑闻,上月底三星公布的最新财报显示,营收只增加1.5%的情况下净利润大增46%,其中贡献最多的就是闪存芯片部门,也就是DRAM内存和NAND闪存。

时至今日,DRAM、NAND闪存缺货、涨价的情况都没有缓解,现在还是供不应求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投资力度提升产能,其中三星也要斥资26.4亿美元扩产Line 17工厂,下半年加速10nm级DRAM内存生产。

三星前不久才宣布了全球最大的半导体工厂平泽工厂竣工,那个是针对NAND闪存的,主力产品将是64层堆栈的3D NAND闪存。而在DRAM领域,三星也有新的投资计划,韩国ETNews报道称三星已经通知设备供应商要扩大韩国华城市(Hwasung)的Line 17工厂,预计投资在2.5万亿到3万亿韩元之间,约合22-26.4亿美元。

以300mm晶圆计算,扩建之后每月产能将提升3.5万片晶圆,目前的产能约为4万片晶圆/月。

三星这次扩展Line 17工厂产能的主力产品是10nm级DRAM内存,预计下半年加速生产。

三星投资扩大DRAM产能是件好事,考虑到他们是全球最大的DRAM供应商,三星此举有助于推动DRAM市场供应平衡,虽然说DRAM再度降价还是很遥远的事。

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国内厂商也在跟进

另外,随着紫光公司巨资建设晶圆厂,国内厂商介入NAND、DRAM领域也为期不远了,尽管他们与三星、SK Hynix等巨头还有很大差距,不过这对市场来说是个利好,多点竞争总是好事。

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从上图不难看出,从2016年开始,受iPhone 7上市以及国产智能手机市场需求畅旺的影响,2016年第四季度,全球智能手机产品出货量持续攀升。同时,各移动智能终端产品的内存搭载容量不断提升,使得DRAM市场依然延续此前供不应求的态势,内存价格全面上涨。

从各大厂商营收排名情况来看,三星、SK海力士和美光三大DRAM厂营收持续飙升,占据市场前三的位置,而台湾地区厂商南亚科、华邦电和力晶科技则分别排名第四至第六名。

作为中国半导体产业的龙头厂商,紫光集团战略布局的脚步似乎比人们想象中的要更快。今年2月12日,继武汉长江存储基地项目开工之后,紫光又一“航母级”项目——南京半导体产业基地项目正式动工。

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该基地项目位于南京市江北新区浦口经济开发区,总投资金额达300亿美元,占地面积约1500亩,首期投资约100亿美元,预计月产能为10万片,项目完工后将主要用于生产3D NAND和DRAM等存储芯片。

按照紫光集团的规划,该项目未来将以存储芯片及存储器尖端制造环节为突破口,集存储产品设计、技术研发、生产制造、销售于一体,可带动设计、制造、封装、测试等集成电路产业链的发展。

另外,与该基地项目同一天开工的,还有同样由紫光集团主导,投资约300亿元人民币的IC国际城项目,其内容涵盖科技园、设计封装产业基地、国际学校、商业设施、国际人才公寓等综合配套设施。

总结

业内认为,目前产能不足,出货量跟不及需求增速导致存储芯片价格上涨。在存储器芯片市场中,三星、镁光、海力士等五家外资企业占据了90%以上市场份额,内存厂商当前产能扩充及出货量提升幅度都非常保守,存储芯片供不应求的局面料将延续。

从2014年开始,中国市场将在未来十年内花费1500亿美元来扩大其半导体容量。2016年,紫光集团收购武汉长江芯片公司,以加速存储器国有化更证实了这一点,未来,中国制造的闪存和内存芯片可能会在全球泛滥,价格可能会下降。在中国半导体市场保证供应的同时,并在使得全球规模迅速增长。

但是也应当明白的是,随着内存产能的逐渐扩充,内存价格疯涨的红利即将结束,价格下跌也是未来必将面对的趋势。如果能够把握好内存市场的发展循环,或许能够迎来中国制造的闪存和内存芯片占领市场的大好时机,以及中国企业缩小与世界厂商的大好时机!

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